LED温升不明显。若环境温度较高, 小电流下。LED主波长就会红移,亮度会下降,发光均匀性、一致性变差。尤其点阵、大显示屏的温升对LED可靠性、稳定性影响更为显着。所以散热设计很关键。
LED
[1]定义:
16WLED
分电源内置和外置两种, LED
寿命为普通灯管的10倍以上, LED
当加正向偏置电压时势垒下降, PN结的端电压构成一定势垒。P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多,所以会出现大量电子向P区扩散,构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合,复合时得到能量以光能的形式释放进来。这就是PN结发光的原理。
其为组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积。所谓组件的内部量子效率, 一般称为组件的外部量子效率。其实就是组件自身的电光转换效率,主要与组件本身的特性(如组件材料的能带、缺陷、杂质)组件的垒晶组成及结构等相关。而组件的取出效率则指的组件内部发生的光子,经过组件自身的吸收、折射、反射后,实际在组件外部可测量到光子数目。因此,关于取出效率的因素包括了组件资料自身的吸收、组件的几何结构、组件及封装材料的折射率差及组件结构的散射特性等。而组件的内部量子效率与组件的取出效率的乘积,就是整个组件的发光效果,也就是组件的外部量子效率。
主要方法是通过提高垒晶的质量及改变垒晶的结构, 早期组件发展集中在提高其内部量子效率。使电能不易转换成热能,进而间接提高LED发光效率,从而可获得70%左右的理论内部量子效率,但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论上的极限。这样的状况下,光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光量的因此提高组件的取出效率便成为重要的研究课题。目前的方法主要是晶粒外型的改变--TIP结构,外表粗化技术。
负载特性类似PN结的UI曲线, 电流控制型器件。正向导通电压的极小变化会引起正向电流的很大变化(指数级别)反向漏电流很小,有反向击穿电压。实际使用中,应选择。LED正向电压随温度升高而变小,具有负温度系数。LED消耗功率,一局部转化为光能,这是需要的剩下的就转化为热能,使结温升高。散发的热量(功率)可表示为。
由于半导体的能隙随温度的上升而减小, LED提供的半宽度很大的单色光。因此它所发射的峰值波长随温度的上升而增长,即光谱红移,温度系数为+2~3A /.LED发光亮度L与正向电流近似成比例:K为比例系数。电流增大,发光亮度也近似增大。另外发光亮度也与环境温度有关,环境温度高时,复合效率下降,发光强度减小。