参数特性
最大电流:7A;
耐电压:650V;
内阻:1.1Ω
SVF7N65F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVF7N65F经常应用于30-40W左右的LED驱动电源、AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动等产品上。
特点
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
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